程自豪

　　速驱动的优秀元件。

　　反过来半导体开关就不甚理想，因为硅的物理特性，其每次开关都会有损耗产生。

　　开关接通后电流流动时产生的损耗，被称为“通导损耗”，每次开关时产生的损耗被称为“开关损耗”。

　　首先，在电导通损耗方面，sic在击穿电场强度方面比硅强约10倍，因此，在确保耐压的同时，当电流流动时，作为电阻的漂移层的厚度可以约为十分之一。这大大减少了导通损耗。

　　电装sic技术的特点。被称为“revosic（r）”，可实现高质量、低损耗优势。

　　碳化硅晶体的制造，并不是采用常见的方法，而是被称为“生长”。

　　就和农民种地一样，先把一粒晶种放入培养基中，然后使其快速增长复制。

　　飞机发动机中的耐高温单晶硅叶片也是通过这种方法制作出来的。

　　但显而易见，这种半主动的“生长”方式，对成品率的影响很大。

　　这也是为什么碳化硅比igbt要贵很多的原因，后者是完全的大工业生产，全流程可控，成本自然可以控制得很好。

　　当然现在技术界也在革新，目前主流采用低缺陷r-kennedy晶圆制作发，尤其是其采用的raf代表重复的a-face生长方法，通过重复不同方向的晶体生长，通过减少缺陷的技术来生长高质量的sic晶体。

　　使用这种方法除了高质量外，还可以实现大面积的高产量。

　　这也是这两年碳化硅逐步进入民用领域的前提，和igbt比依然高昂，但不再是从前那样想都不敢想的情况

　　随后，现在的电装碳化硅沟槽栅极mosfet作为支持低损耗的技术。沟槽栅极结构允许窄单元间距，并通过排列多个sic单元来实现低导通电阻和低导通损耗。

　　这已经是程自豪绞尽脑汁之后翻译出来的玩意，原话就更不好理解了，里面夹杂着大量的英语、日语专用词汇，间或还有个把听起来可能是德语的语言。

　　总之，这帮人技术方面绝对ok，对外营销，好了，别说营销就是沟通都谈不上。

　　刘琼在里面算是个异类，可就是她无法胜任推广工作，知识分子的清高感，让她始终无法摆正自己的位置。

　　程自豪在感慨，这大概也是改革的目的之一吧。

　　如果给华东院配上几个厉害的销售，并且给足资